长鑫科技集团股份有限公司（简称：“长鑫存储”）日前更新招股书，准备在科创板上市。公司计划募资295亿元，其中75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，130亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元用于动态随机存储器前瞻技术研究与开发项目。
长鑫存储创立于2016年，总部位于安徽合肥，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。公司已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
截至招股说明书签署日，长鑫新桥和长鑫集电是长鑫存储的重要子公司。长鑫存储及子企业直接持有长鑫新桥30.68%的股权，并通过一致行动协议控制其42.33%的表决权，合计控制长鑫新桥73.01%的表决权。长鑫存储直接持有长鑫集电31.72%的股权，并通过一致行动协议控制其43.60%的表决权，合计控制长鑫集电75.32%的表决权。
根据招股书，长鑫存储2023年、2024年、2025年的营收分别为90.87亿元、241.78亿元、618亿元；净利分别为-192.24亿元、-90.5亿元、71.44亿元；扣非后净利分别为-167.5亿元、-78.7亿元、53.16亿元。2026年第一季度，公司营收为508亿元，较上年同期的62亿元增长719%；净利为330亿元，上年同期净亏损为28.2亿元；扣非后净利为263亿元，上年同期的扣非后净亏损为13.9亿元。息税折旧摊销前利润为437亿元，较上年同期的39.87亿元增长997%。
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